| |
Principalement
orienté sur la radio-fréquence, le mixte analogique-numérique
et les applications "haute" tension, ID MOS a engagé
des partenariats industriels avec une sélection de fonderies
européennes et asiatiques pour obtenir un accès
privilégié à leur portefeuille de procédés
. Grace à cette stratégie multi-fonderie, IDMOS
apporte à ses clients l'avantage d'un vaste pannel de procédés
permettant d'offrir, pour chaque projet, un compromis technico-économique
optimal.
|
|
 |
Les technologies
mixtes utilisées sont extrêmement modulaires et permettent
de réaliser des designs à bases de cellules standards,
semi-custom ou custom, pour adresser des marchés aussi variés
que l'automobile, l'électronique grand public, l'électronique
industrielle, et les télecoms.
Offre
de procédé (sélection):
|
Process
|
·
N-Well
CMOS
·
BiCMOS |
|
Lithographies
|
·
1,0µm
: CMOS pour produits moyenne tension
·
0.8/0.6µm
: CMOS/BiCMOS pour produits haute fréquence
·
0.5/0.13µm
: CMOS pour produits à forte densité |
|
Double
Poly |
Résistances
et capacités |
|
Haute
tension
|
Jusqu'à
100 Volts |
|
Basse
tension
|
Jusqu'à
1,5 Volts |
|
Mémoires embarquées
|
RAM
/ ROM / OTP Flash / EEPROM |
|
Transistor NPN haute-fréquence
|
Models
BSIM3V3 de haute précision pour la simulation |
|
protection ESD
|
En
accord avec MIL-STD |
|