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Schwerpunkt RF, Mixed-Signal und Hochspannung hat ID MOS mit zahlreichen
Foundries in Europa und Asien Partnerschaften geschafft, um auf die
erforderliche technologische Optionen zugreifen zu können.
Diese Multi-Foundries-Strategie ist für ID MOS die Möglichkeit,
eine breite Auswahl von Prozesse benutzen zu können, so dass
der goldene Mittelweg zwischen Technologie und Preise für unseren
Kunde zur Verfügung steht. |
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Die modulare
Mixed-Signal Technologie ist geeignet für Standard-Cell, Semi-Custom
and Full-Custom Entwicklungen, für die Automobil-, Industrie-,
Verbraucher-, und Luft- und Raumfahrtbereiche.
Prozess-Angebot
im Überblick :
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Prozesse
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·
N-Well
CMOS
·
BiCMOS |
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Lithographien
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·1,0µm
: CMOS für mittlere Spannungen-ICs
·0,8/0,6µm : CMOS/BiCMOS
für Hochfrequenz-ICs
·0,5/0,13µm : CMOS für
Hochintegration-ICs
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Doppel-Poly
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Widerstände
und Kondensatoren |
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Hochspannung
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Bis
zu 100 Volt |
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Niedrige Spannung
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Ab
1,5 Volt |
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Eingebaute Speicher
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RAM/ROM/OTP
Flash / EEPROM |
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Hochfrequenz NPN Transistor
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Hochpräzision
BSIM3V3 Modell für Simulierung |
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ESD-Schutz
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MIL-STD
berücksichtig |
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