La tenue aux radiations, tant en termes de phénomènes ponctuels (SEE) qu’en tolérance à la dose cumulée dans le temps (TID) est un facteur essentiel dans le cadre de certaines applications, notamment spatiales. Dans ce cas de figure spécifique, le dessin même d’une grande partie des dispositifs élémentaires de la technologie silicium doit être largement modifié. La modélisation correspondante, effectuée également sur des véhicules de test, permettra de simuler correctement les nouveaux dispositifs créés et de nouvelles bibliothèques de cellules standards numériques seront générées.

Enfin, des tests de radiation SEE et TID effectuées sur ces véhicules de test viennent valider l’ensemble de la démarche, qui aboutit à la mise à disposition d’un kit de développement complet analogique et numérique sur la technologie cible, permettant  de concevoir ultérieurement des circuits intégrés mixtes déterministes en termes de tenue aux radiations.