Modélisation de procédés de fonderie
Dans le cadre de son activité de développement de circuits intégrés dédiés (ASIC) ou standards (ASSP), ID MOS utilise le plus souvent des technologies silicium standards associées à un environnement de simulation et des bibliothèques de composants et cellules logiques fournis par le fondeur fournisseur de ces procédés.
Au-delà de cette approche conventionnelle appropriée pour la plupart des applications visées, certains domaines spécialisés exigent – pour des raisons d’environnements hors-norme – l’adaptation ou le développement complet d’un environnement de conception. Selon les cas, cet environnement peut aller de l’extension des gammes de température, via un ajout de modélisation, jusqu’au redéveloppement d’une chaîne de conception complète : depuis la création de nouveaux composants, la modélisation électrique et la génération de cellules logiques standards utilisables directement par les outils de synthèse et placement-routage disponibles.
Cette compétence a fait très tôt partie des points de spécialité de nos équipes et a fait l’objet d’une capitalisation de savoir-faire au cours des 15 dernières années.
Températures extrêmes
Les applications fonctionnent à des températures extrêmes, aussi bien très basses (70K, -193°C) que très élevées (300°C). À ces températures, les modèles électriques standards ne sont plus valides et certains effets de bord deviennent prépondérants, notamment les variations de seuil des transistors MOS, la mobilité des porteurs à froid et les fuites en inverse de toutes les jonctions à chaud. On parle donc ici principalement d’extension de modélisation sur la base de « véhicules de test » (puces contenant tous les dispositifs de la technologie).
La mesure physique de ces dispositifs dans les conditions de température correspondant au profil de mission et leur intégration dans les équations gérant les modèles électriques permettent de prendre en compte ces phénomènes et de les intégrer dans l’environnement de simulation de circuits intégrés dédiés qui sera utilisé pendant la conception.
Rad Tolerant
La tenue aux radiations, tant en termes de phénomènes ponctuels (SEE) qu’en tolérance à la dose cumulée dans le temps (TID) est un facteur essentiel dans le cadre de certaines applications, notamment spatiales. Dans ce cas de figure spécifique, le dessin même d’une grande partie des dispositifs élémentaires de la technologie silicium doit être largement modifié. La modélisation correspondante, effectuée également sur des véhicules de test, permettra de simuler correctement les nouveaux dispositifs créés et de nouvelles bibliothèques de cellules standards numériques seront générées.
Enfin, des tests de radiation SEE et TID effectuées sur ces véhicules de test viennent valider l’ensemble de la démarche, qui aboutit à la mise à disposition d’un kit de développement complet analogique et numérique sur la technologie cible, permettant de concevoir ultérieurement des circuits intégrés mixtes déterministes en termes de tenue aux radiations.
