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Design ASIC

Microélectronique analogique et numérique

Nous sommes à l’interface du monde réel et du traitement de l’information. Conscients que la plupart des applications électroniques modernes composent entre grandeurs analogiques et intelligence digitale, ID MOS s’est forgé 15 ans d’expérience dans la microélectronique analogique et mixte. Nos équipes de concepteurs ASIC sont fortement spécialisées : selon votre besoin, Ingénieurs, Analogiciens et Numériciens développent en équipe projet pour réaliser votre circuit spécifique.

Avec 200 réalisations d’ASIC à son actif, ID MOS a développé une large gamme d’IP et de blocs analogiques standards qui permettent une stratégie d’optimisation en coût et délai par leur réadaptation aux fonctionnalités de chaque nouveau produit.

Méthodologie et expertise

Nous sommes des experts du design ASIC. Nos méthodes de conception correspondent aux standards mondiaux du domaine. Notre démarche est particulièrement sévère vis-à-vis de l’implémentation de vos exigences à l’intérieur de la puce et des méthodes de vérifications associées. Tous nos développements intègrent une étude de testabilité poussée qui privilégie les méthodes in-situ pour optimiser les conditions de test en production et orienter la production finale vers le zéro-défaut.

Au-delà de nos méthodes classiques, nous proposons des développements selon des méthodologies spécifiques, par l’application de référentiels de développement de type DO254 ou ses équivalents.

En savoir plus sur notre méthologie

Depuis plus de 15 ans, notre offre adresse des secteurs applicatifs multiples dont les exigences spécialisées ont trans-fertilisé nos méthodes de travail. Les domaines industriels tels que le transport et les environnements sévères sont nos domaines d’excellence, avec des applications autour de l’interfaçage capteur, la mesure et le système-sur-puce.

Chaque ASIC est développé dans le but d’en assurer la fourniture. ID MOS assure l’industrialisation puis la production à travers des partenariats historiques avec des fournisseurs de classe mondiale dont la sélection s’est faite par l’excellente maitrise de leurs procédés, la pérennité de l’offre et le positionnement compétitif en prix.

Nous dessinons sur un vaste panel de procédés mixtes de fonderie, de 65nm à 1µm, sur toutes les gammes de tension. Cela autorise un fort degré de liberté dans le choix des fonctions implémentables, mais également un compromis performance-prix optimal. Nos ASIC sont encapsulés par les leaders du secteur, ce qui permet d’accéder à une offre pléthorique de boîtiers plastiques et céramiques au sein d’une large gamme allant des anciens DIP traversant jusqu’aux plus modernes CSP.

Technologie RADHARD

Les applications en haute altitude ou spatiales requièrent une immunité aux radiations afin d’assurer la fiabilité et la durée de vie des composants embarqués. Fort du développement complet d’une bibliothèque 100krad sur technologie 350nm, ID MOS propose des solutions validées qui assurent la robustesse des ASIC spécialement conçus pour ces environnements.

Au-delà du TID, nos méthodes de design garantissent une bonne immunité aux SEE, tant par la qualité de nos layout (SEL) que par celle de nos designs et architectures (SET, SEFI et SEU).

Températures extrêmes

Pour aller au-delà des gammes de température classiques de l’électronique, nous offrons d’étendre vos conditions opérationnelles en réalisant votre ASIC sur des procédés de fonderie spécifiquement caractérisés. En utilisant sa compétence en création de PDK (librairie de design microélectronique), ID MOS a complètement re-modélisé une sélection de procédés de fonderie. Il devient alors possible de concevoir de façon parfaitement prédictible votre ASIC dont les performances seront garanties sur des gammes de température étendues jusqu’à -193°C ou +300°C.

ASIC sécurisés

En collaboration avec SERMA Safety & Security, ID MOS est à même de proposer des solutions pertinentes de sécurisation de ses propres ASIC via la mise en œuvre de solutions de cryptage, décryptage, de surveillance des alimentations visant à se prémunir de tentatives d’intrusions externes, de rajouts de pistes fantômes au niveau layout, solutions complétées par la mise en œuvre de protections métalliques multiples au niveau de la puce.

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